| 題目 | 中性子・放射光Ｘ線散乱の相補的利用によるスピン・電荷・格子結合系の研究
ーNaV2O5 を中心としてー |
| 講師 | 藤井 保彦 氏
（東大物性研） |
| 日時 | 平成１２年１２月１５日（金）１６：００−１７：３０ |
| 場所 | コラボレーションセンター３階 コラボレーション室
（岡山大学津島キャンパス内） |
| 要旨 | NaV2O5には当初２種類のＶサイト、V
4+(S=1/2)とV
5+(S=0)があり、TC=35K以下でスピン・パイエルス状態が実現していると思われていた。しかしその後
T>TC ではV +4.5 の電荷無秩序状態であり、スピン構造的には
quarter-filled spin ladder 系であること、TCではスピンギャップ形成・原子変位・電荷秩序が同時に起こる珍しい物質であることが明らかになった。我々は、中性子散乱により磁気励起、Ｘ線散乱により原子変位、また放射光Ｘ線によるＶ原子の吸収端を利用した異常散乱により電荷秩序を決定し、この物質の全容を明らかにした（常圧）。
一方、この物質の低温・高圧下での放射光Ｘ線散乱実験により、原子変位変調波数（電荷秩序と結合した）が ANNNIモデルで予言される"悪魔の花"のような振舞いを示し、系統的な高次整合相が出現することを観測した。これは競合する相互作用によるフラストレーションに起因するものであるが、NaV2O5における微視的相互作用に興味が持たれる。 |
| 連絡先 | 澤田昭勝（内線7810）
岡田耕三（内線7807） |
